为什么mos管不能耐高压大功率mos管

2026-01-17 08:003141 源敏

一、为什么mos管不能耐高压1、mos管是可以耐高压的。2、MOS管的最大劣势是随着耐压升高，内阻迅速增大，所以高压下内阻很大，致使MOS管不能做大功率应用。3、在高压领域，MOS管的开关速度仍是最快的，但高压下MOS管的导通压降很大（内阻

一、为什么mos管不能耐高压

1、mos管是可以耐高压的。

2、MOS管的最大劣势是随着耐压升高，内阻迅速增大，所以高压下内阻很大，致使MOS管不能做大功率应用。

3、在高压领域，MOS管的开关速度仍是最快的，但高压下MOS管的导通压降很大（内阻随耐压升高而迅速升高），即便是耐压600V的COOLMOS管，导通电阻可高达几欧姆，致使耐流很小。

二、储能点焊机mos管原理

1、储能点焊机的原理是预先通过一个较小的变压器对一组高容量电容进行充电蓄能，后通过一台大功率的阻焊变压器对焊接零件进行放电焊接。

2、储能焊机的突出特点是放电时间短、瞬时电流大，因此焊后的热影响如变形、变色极小。

3、小功率的储能点焊机适合焊接精密部件大功率的储能点焊机适合多点凸焊、环凸焊、密封凸焊。

三、大功率mos管寿命

大功率MOS管一般是十万小时以上(每天工作6-7小时可用30年).运放数字稳压IC,核心元器件（CPU、MCU、DSP）属多种元件混合,里面单个元件也是十万小时以上,厂家出厂时也只能保正万分之一的损坏率,使用当中最多也只能保5年,一般是1-3年

四、mos管和可控硅区别

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）和可控硅（Silicon Controlled Rectifier，硅可控整流器）是两种不同类型的半导体器件，它们在工作原理、应用和特性上有很大的区别。以下是MOS管和可控硅之间的主要区别：

1. 工作原理：

MOS管是一种场效应晶体管，它的工作原理基于电压控制。MOS管的导通是由栅极（Gate）上的电压控制，当栅极电压达到一定程度时，源极（Source）和漏极（Drain）之间形成导通通路。

可控硅是一种半导体功率器件，它的工作原理基于电流控制。可控硅的导通是由门极（Gate）上的电流控制，当门极电流达到一定程度时，阳极（Anode）和阴极（Cathode）之间形成导通通路。

2. 控制方式：

MOS管通过电压控制，可以实现高输入阻抗和低功耗。

可控硅通过电流控制，可以实现高电流承受能力和快速响应。

3. 开关特性：

大功率mos管

MOS管的开关速度较快，导通电阻较低，适用于高频应用和低功耗场合。

可控硅的开关速度较慢，导通电阻较高，适用于高电流和大功率场合。

4. 应用领域：

MOS管用于电源管理、电机驱动、射频电路、信号放大等领域。

可控硅用于交流电源控制、调光、调压、逆变器等电力电子领域。

5. 保护功能：

大功率mos管

MOS管通常具有内置的保护功能，如过热保护、短路保护等。

可控硅需要外部保护电路，如RC吸收电路、箝位二极管等。

总之，MOS管和可控硅在工作原理、控制方式、开关特性、应用领域和保护功能等方面都存在显著差异。根据实际应用需求，可以选择合适的器件类型。

五、mos管的最大耗散功率是指什么

1、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

2、当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c)MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮个子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，对于高度为2.0的人来说。一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.